Исследователи из Фуданьского университета (Шанхай) представили революционную разработку - флеш-память PoX с рекордной скоростью записи 1 бит за 400 пикосекунд (одна триллионная секунды).
Ключевые особенности:
✔ В 25 раз быстрее существующих аналогов (1-10 наносекунд на бит)
✔ Использование графенового канала в двухмерной структуре
✔ Энергонезависимая технология хранения данных
Значение разработки:
Ключевые особенности:
✔ В 25 раз быстрее существующих аналогов (1-10 наносекунд на бит)
✔ Использование графенового канала в двухмерной структуре
✔ Энергонезависимая технология хранения данных
Значение разработки:
- Прорыв в области полупроводниковых технологий
- Потенциальное применение в суперкомпьютерах и центрах обработки данных
- Укрепление позиций Китая в мировой микроэлектронике
